반응성 이온 식각(RIE)은 이온 충격을 이용한 반응성 화학 공정과 물리적 공정에서 웨이퍼표면으로부터 물질을 제거하기 위한 기술이다.
웨이퍼가 RF가 인가되는 전극(cathode)에 위치하는 것을 제외하고는 평행평판(parallel-plate)플라즈마 식각기와 비슷하고 전압이 가해진 전극의 크기는 접지된 전극의 크기에 비해 크게감소된다.
이런 방식에서 직류 자기 바이어스가 캐소드에서 발생되고 웨이퍼들은 플라즈마에 대한커다란 전압 차를 얻게 된다.
이러한 상태는 이온화된 species들이 웨이퍼를 향해 움직이도록하는 방향성을 만들어내고, 향상된 이방성의 측벽 특성을 만들어낸다.애노드에는 스퍼터링이 없다.
압력은 0.1torr 이하로 비교적 낮다. RIE(Reactive Ion Etching)의 원리 장비는 건식 식각장치로 써 마주 보고 있는 두 개의 평행판형 전극에 고주파전 원을 인가하여 플라즈마 상태에서 반응성가스를 활성 화시켜 식각시키고자 하는 물질을 화학반응을 일으켜 휘발성물질로 만들어 식각하는 원리를 이용한다.
고주파 전원의 인가전극에 웨이퍼가 놓이는 Cathode-couple방식은 접지전극측에 웨이퍼가 놓이는 Anode-couple방식보다 인가전압이 크므로 높은 이온충격을 이용할 수 있는 특징이 있는 장치이다.
반응성 가스의 플라즈마에 존재하는 활성종을 에칭재료 표면의 원자와 반응시켜 휘발성의 반응생성물을 생성시키고, 이것을 재료 표면에서 이탈시켜 에칭하는 기술이다.
이 기술은 반도체 소자 초미세 가공과정의 기본기술로 확립되어 있다.RIE 기술은 보통 크리닝, 디스컴등에 사용을 하며, 여러종류의 필름(전도성, 유전성)을 에칭한다.
[출처] Dry Etch(건식 식각) 장비 종류 - RIE|작성자 햇살마루