SiOx 박막의 특성 ITO-PET 투명 전도성 필름의 index matching 층으로 사용될 ITO 하부층 중에서 저굴절률 SiOx 박막은 Si 타겟을 이용하여 반응성 스퍼터링으로 증착을 하였으며 그림 1 은 반응성 가스인 산소유량에 의한 SiOx 박막의 360~740㎚ 파장대의 광학적 특성을 나타내고 있다. 또한, 표 1 은 반응성 스퍼터링으로 형성된 SiOx 박막의 증착 환경을 나타내고 있다.
Si 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링은 산소 유량이 증가함에 따라 화학양론적 결합으로 투명한 산화막이 형성되었으며 그림 1 과 같이 산소 유량이 0~9 sccm까지 증가함에 따른 투과율의 증가를 보여주고 있다. 표 2 의 EDS를 이용한 SiO2 박막의 분석은 산소 유량 5 sccm 이상에서 Si : O = 1 : 2 의 조건을 만족시킴을 보여주고 있으며 5 sccm 이상에서 산소의 포화로 SiO2의 화학양론적 결합이 이루어진 것으로 보여진다.
임피던스가 387Ω 이하가 되는 산소 유량 5 sccm 이상에서 투명한 SiOx 산화막이 형성되기 시작하였으며 SiOx의 증착률은 스퍼터링시 유입되는 산소의 함량에 의한 임피던스와 비례하는 특성을 나타내고 있다. 그림 2 는 산소 유량에 의한 SiOx 박막의 두께와 스퍼터링 임피던스 특성을 나타내고 있다.
표 1. 반응성 스퍼터링으로 형성된 SiOx 박막의 증착 환경Table 1. Deposition conditions of the SiOx thin layer on PET film by reactive sputtering
그림 1. 질소 유량에 따른 PET 필름상에 증착된 SiOx 박막의 광학적 특성Figure 1. Optical properties of the SiOx thin layer on PET film with varing O2 flow rate
표 2. 산소 유량에 따른 SiOx 박막의 함량 분석Table 2. EDS elements analysis of SiOx thin layer on PET film with varying O2 flow rate
그림 2. 산소 유량에 따른 SiOx 박막 증착률과 스퍼터링 임피던스 특성Figure 2. Deposition rate and sputtering impedance of SiOx thin layer on PET film with varing O2 flow rate
[출처] SiOx 박막의 특성|작성자 제이벡 Jvac