< 용어 설명 >
화학기상증착(CVD : Chemical Vapor Deposition)
화학기상증착이란 반도체 제조공정 중 반응기 안에 화학기체들을 주입하여 화학반응에 의해 생성된 화합물을 웨이퍼에 증기 착상시키는 것을 말하며 이 과정에 사용되는 고순도 약액 또는 특수가스를 화학기상증착재료라 한다.
증착법에는 크게 네가지로 분류되는데 상압화학기상증착 (AP CVD : Atmospheric Pressure CVD), 저압 화학기상증착(LP CVD : Low Pressure CVD), 열화학증착 과 플라즈마 화학 증착 (PE-CVD)으로 나눌 수 있다.
식각재료(Etchants) 및 세정재료(Cleaning Chemicals)
식각재료는 반도체 제조공정 및 웨이퍼 제조공정은 물론 평판디스플레이 제조공정에서도 광범위하게 사용되는 재료이다.
우선 식각 이라 함은 웨이퍼 표면이나 평판디스플레이 기판에 반도체 집적회로를 형성시키기거나 필요한 부위를 얻기 위하여 화학약품 및 특수가스의 화학반응을 이용하여 얻고자하는 패턴을 만드는 작업을 식각 이라 하며 이러한 공정에 사용되는 약품이나 특수가스 및 기타재료를 식각재료라고 한다.
세정이란 웨이퍼나 평판디스플레이 표면에 반도체 패턴이나 도선 패턴 등을 형성시킬 때 금속오염물이나 입자들을 각각의 제조공정을 수행하기 전ㆍ후에 고순도의 약품을 사용하여 제거시켜주는 작업을 세정이라 하며 반도체공정에서 30 ∼ 40% 정도가 세정공정이 차지함으로 세정재료의 중요성은 지대하다 할 수 있다.
포토마스크
석영유리판에 회로를 묘화한 회로도의 원판
포토레지스트(P/R)
회로를 사진 현상하기 위한 감광액리드프레임 칩과 외부회로와의 접속을 위한 지지대
Etching (식각)
Silicon Wafer에 필요한 부분만을 남겨놓고 불필요한 부분을 화학 또는 가스로 녹여내는 제작과정Bonding주로 Wire Bonding이라고 일컬어지며 반도체 제품의 조립시 Chip의 PAD와 외부 단자를 도선으로연결하는 작업
Chiller(칠러)
반도체공정 중 주로 Etching(식각)공정에서 Process Chamber 내의 온도조건을 안정적으로 제어하는 온도조절장비Asher(에셔)건식 식각이나 이온 주입 등에 의해 굳어진 감광액의 건식 제거(Dry Strip)용 반도체 전공정 장비Burn in System높은 온도(83℃~125℃)로 Device에 열적 압력을 가하여 테스트하는 장치
CapillaryWire Bonding
공정에서 금선을 연결하는데 사용하는 도구(Ball 모양을 형성해주고, Wire를 끊어주는데 사용Cascade System 3단으로 되어 있는 작은 폭포로써 순수한 물(DI Water)이 흐르면서 바닥으로부터 질소가 분출되도록 하여 Wafer를 헹구는 장치
Gold Wire
반도체 소자인 Die와 Package 단자간을 연결하는 금속 세선
Slurry Supply System
반도체 제조공정중 하나인 CMP공정에 슬러리를 공급하여 웨이퍼 표면을 초미세 평탄화하는 장치
TRAY
반도체 소자, 반도체 및 LCD Module제품(정밀전자 부품)을 외부의 충격이나 정전기, 전자파 등으로부터 안전하게 보호할 수 있도록 제작된 제품
Si, AI203, Quartz 반도체 제조장비 부분품
NF3
반도 및 LCD 세정용 특수가스
C.C.S.S 반도체와 LCD전공정에 필요한 Chemical을 배관을 통해 생산장비로 원격공급하는 자동화 System이며, 다양한 형태의 제품으로 응용이 가능
WET SYSTEM
반도체용 각종 Cleaner 및 LCD용 세정 system, Glass Etching system등으로 Fab공정중 Etching 및 세정시에 사용되는 전공정 장비로서 기존에는 주로 일본에서 수입하였으나, 최근 국산화 개발로 수입 대체중인 제품.
RF-Genertor반도체 전공정 장비(Etch, CVD, 등)의 Plasma 발생 전원장치로 사용
Pellicle (소형펠리클)반도체Device 제조시 Photolithography(노광식각)공정에서 Photomask(반도체설계회로도)를 이물질로부터 보호하기 위해 사용되는 부품
GAS SCRUBBER
반도체및 LCD 생산설비의 독성 GAS 농도를 분해하여 배출하는 장비로 Air+Heating Condition에 반응, 고온에서 분해, 2차 분해후 Powder Collector를 통해 분진을 모집